APTM120H29FG دیتاشیت

APTM120H29FG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APTM120H29FG
حجم فایل 581.074 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت APTM120H29FG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS 7®
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Active
  • FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature: Standard
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
  • Power - Max: 780W
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Package / Case: SP6
  • Supplier Device Package: SP6
  • detail: Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6

محصولات مشابه